纳秒级写入、超万亿次擦写!中国公司实现SOT

12月26日消息,据媒体报道,在国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上,来自中国的浙江驰拓科技发布了一项突破性的SOT-MRAM自旋轨道矩磁性随机存取存储器)技术进展,解决了该技术在大规 ...[查看全文]

最新文章
热点更多...
休闲更多...
时尚更多...
综合更多...
知识更多...
娱乐更多...
焦点更多...
探索更多...
百科