12月26日消息,据媒体报道,在国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上,来自中国的浙江驰拓科技发布了一项突破性的SOT-MRAM自旋轨道矩磁性随机存取存储器)技术进展,解决了该技术在大规 ...[查看全文]